Příprava tenkých vrstev chalkogenidů s použitím organokovových prekurzorů metodou rotačního nanášení – Bc. Veronika Weissová
Bc. Veronika Weissová
Diplomová práce
Příprava tenkých vrstev chalkogenidů s použitím organokovových prekurzorů metodou rotačního nanášení
Chalcogenide thin films deposition from organometallic precursors by spin-coating technique
Anotace:
Diplomová práce se zabývá přípravou tenkých vrstev Sb-S a Sb-Se metodou rotačního nanášení z organokovových prekurzorů LSbS a LSbSe. Další část práce se zabývá přípravou tenkých vrstev As30S70 dopovaných ionty Er3+ z komerčního ErQ prekurzoru metodou rotačního nanášení.Abstract:
The master thesis deals with the preparation of the Sb-S and Sb-Se thin films by spin-coating technique using the organometallic precursor?s LSbS and LSbSe. Next part of the work deals with the spin-coating deposition of the As30S70 thin films doped with Er3+ ions using the commercial ErQ precursor.
Jazyk práce: čeština
Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 13. 5. 2016
Obhajoba závěrečné práce
- Obhajoba proběhla 7. 6. 2016
- Vedoucí: prof. Ing. Tomáš Wágner, DrSc.
Citační záznam
Citace dle ISO 690:
WEISSOVÁ, Veronika. \textit{Příprava tenkých vrstev chalkogenidů s použitím organokovových prekurzorů metodou rotačního nanášení}. Online. Diplomová práce. Pardubice: Univerzita Pardubice, Fakulta chemicko-technologická. 2016. Dostupné z: https://theses.cz/id/awfzng/.
Jak správně citovat práci
Weissová, Veronika. Příprava tenkých vrstev chalkogenidů s použitím organokovových prekurzorů metodou rotačního nanášení. Pardubice, 2016. diplomová práce (Ing.). Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická
Plný text práce
Obsah online archivu závěrečné práce
Zveřejněno v Theses:- Soubory jsou nedostupné.
Jak jinak získat přístup k textu
Instituce archivující a zpřístupňující práci: Univerzita Pardubice, Fakulta chemicko-technologickáUniverzita Pardubice
Fakulta chemicko-technologickáMagisterský studijní program / obor:
Chemie a technologie materiálů / Materiálové inženýrství
Práce na příbuzné téma
-
Příprava tenkých vrstev (oxy)chalkogenidů na bázi\nl{} (GeS\dindex{2})\dindex{80}(Ga\dindex{2}S\dindex{3})\dindex{20-x}(Sb\dindex{2}S\dindex{3})\dindex{x} metodou rotačního nanášení
Tomáš Halík -
Příprava chalkogenidových tenkých vrstev dopovaných ionty lanthanoidů metodou rotačního nanášení
Dagmar Binková -
Rotačně nanášené Er\hindex{3+} a Er\hindex{3+}/Yb\hindex{3+} dopované tenké vrstvy GeS\dindex{2} a (GeS\dindex{2})\dindex{80}(Ga\dindex{2}S\dindex{3})\dindex{10}(Sb\dindex{2}S\dindex{3})\dindex{10}
Tomáš Halík -
Rotačně nanášené chalkogenidové tenké vrstvy As\dindex{30}S\dindex{70} a Ge\dindex{25}S\dindex{75} dopovaných ionty lanthanoidů
Dagmar Binková