Rtg rozptyl na defektech v křemíku

Bc. Jiří Růžička

Diplomová práce

X-ray scattering on defects in silicon

Anotace:

Předložená práce se zabývá studiem kyslíkových precipitátů v žíhaném Czochralského křemíku pomocí Laueho difrakce rentgenového záření. Naměřené reflexní a transmisní křivky jsou porovnávány s křivkami vypočtenými podle statistické dynamické teorie difrakce. Jako parametry jsou použity relativní objem a poloměr defektů, jejichž jádra tvoří kyslíkové precipitáty a jejichž tvar předpokládáme kulový. Z těchto dvou parametrů lze dopočítat absolutní koncentraci defeků v krystalu. Parametry studujeme v závislosti na tom, zda byly vzorky předžíhány za vysoké teploty, na nukleační teplotě a na délce precipitačního žíhání.

Abstract:

In the presented diploma thesis we study oxygen precipitates in annealed Czochralski silicon by means of x-ray diffraction in Laue geometry. Reflection and trasmission curves obtained by measurement are compared with curves calculated using statistical dynamical theory of diffraction. Parameters of the simulation are: relative volume and radii of defects, whose cores are formed by the oxygen precipitates and whose shape we assume to be spherical. Using these two parameters we can calculate the absolute concentration of defects in the crystal. We study the dependency of these parameters on pre-annealing at high temperature, on nucleation temperature and duration of precipitation anneal.

Klíčová slova

Czochralského křemík, kyslíkové precipitáty, rentgenové záření, Laueho difrakce, statistická dynamická teorie difrakce, Czochralski silicon, oxygen precipitates, x-rays, Laue diffraction, statistical dynamical theory of diffraction

Jazyk práce: čeština

Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 12. 5. 2011

Obhajoba závěrečné práce

• Obhajoba proběhla 13. 6. 2011
• Vedoucí: Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.

Masarykova univerzita

Přírodovědecká fakulta

Magisterský studijní program / obor:
Fyzika / Fyzika kondenzovaných látek