Studium epitaxních vrstev pomocí rtg metod

Bc. Michal Bednář

Diplomová práce

Study of epitaxial layers using x-ray techniques

Anotace:

V této diplomové práci jsme se zabývali studiem epitaxních vrstev pomocí rentgenové analýzy. Studovali jsme vzorky s ternárními vrstvami GaAsSb, které je možné použít jako krycí vrstvy pro systémy kvantových teček. Vrstvy byly vyrobeny na (100) GaAs substrátu. Použili jsme kinematickou teorii rentgenové difrakce k popisu rozložení koncentrace antimonu ve vrstvách GaAsSb. Stejnou teorii jsme využili k analýze strukturních vlastností epitaxních vrstev topologických izolátorů Bi2Se3 a BixTey na BaF2 (111) substrátu. Na těchto vzorcích s vrstvami topologických izolátorů jsme měřili mřížové parametry a stanovili jsme fáze vrstev.

Abstract:

In this thesis we studied epitaxial layers using X-ray analysis. We analyzed samples with ternary GaAsSb layers, which can be used as a cover layers for systems of quantum dots. The layers were grown on GaAs (100) substrate. We used kinematical theory of X-ray diffraction to describe distribution of antimony concentration in the GaAsSb layer. We used the same theory to analyze structural properties of epitaxial layers of topological insulators Bi2Se3 and BixTey on BaF2 (111) substrate. We measured lattice parameters and we determined phase of the layers on these samples.

Klíčová slova

Rentgenová difrakce, Epitaxní vrstva, Kvantové tečky, GaAsSb vrstva, Topologický izolátor, X-ray diffraction, Epitaxial layers, Quantum dots, GaAsSb layer, Topological insulator

Jazyk práce: čeština

Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 16. 5. 2014

Obhajoba závěrečné práce

• Obhajoba proběhla 19. 6. 2014
• Vedoucí: Mgr. Ondřej Caha, Ph.D.

Masarykova univerzita

Přírodovědecká fakulta

Magisterský studijní program / obor:
Fyzika / Fyzika kondenzovaných látek