Bc. Michal Bednář

Master's thesis

Studium epitaxních vrstev pomocí rtg metod

Study of epitaxial layers using x-ray techniques
Abstract:
V této diplomové práci jsme se zabývali studiem epitaxních vrstev pomocí rentgenové analýzy. Studovali jsme vzorky s ternárními vrstvami GaAsSb, které je možné použít jako krycí vrstvy pro systémy kvantových teček. Vrstvy byly vyrobeny na (100) GaAs substrátu. Použili jsme kinematickou teorii rentgenové difrakce k popisu rozložení koncentrace antimonu ve vrstvách GaAsSb. Stejnou teorii jsme využili …more
Abstract:
In this thesis we studied epitaxial layers using X-ray analysis. We analyzed samples with ternary GaAsSb layers, which can be used as a cover layers for systems of quantum dots. The layers were grown on GaAs (100) substrate. We used kinematical theory of X-ray diffraction to describe distribution of antimony concentration in the GaAsSb layer. We used the same theory to analyze structural properties …more
 

Keywords

Rentgenová difrakce Epitaxní vrstva Kvantové tečky GaAsSb vrstva Topologický izolátor X-ray diffraction Epitaxial layers Quantum dots GaAsSb layer Topological insulator
 
Language used: Czech
Date on which the thesis was submitted / produced: 16. 5. 2014
Identifier: https://is.muni.cz/th/jpb5s/

Thesis defence

  • Date of defence: 19. 6. 2014
  • Supervisor: Mgr. Ondřej Caha, Ph.D.

Citation record

Cite this text

Full text of thesis

Contents of on-line thesis archive
Published in Theses:
  • světu
Other ways of accessing the text
Institution archiving the thesis and making it accessible: Masarykova univerzita, Přírodovědecká fakulta
Složka Reference to the local database directory of the institution