Příprava a charakterizace Schottkyho diod

Bc. Radovan Čech

Diplomová práce

Preparation and characterization of Schottky diodes

Anotace:

Tato práce se věnuje přípravě a charakterizaci Schottkyho diod. Diody byly připraveny v čistých prostorech. Byly připraveny vzorky se Schottkyho kovem z hliníku a titan-wolframu pro dva různě dopované substráty. Z proměřených volt-ampérových charakteristik byly určeny výšky bariér a faktory ideality vyrobených součástek. Pro všechny součástky pak byly určeny hodnoty sériových odporů. Z naměřených dat byla také odhadnuta mezní frekvence usměrňování pro většinu vzorků. Na závěr byly porovnány s komerční diodou BAT43.

Abstract:

This work focuses on preparation and characterization of Schottky diodes. Diodes were prepared in clean rooms. Samples with aluminium and titanium-tungsten barrier metal were prepared for substrates with two different impurity concentrations. Schottky barrier heights and ideality factors were determined from measured current-voltage characteristics. Values of series resistance for all samples were also determined. There was also an estimation of the cut-off frequency based on the resistance measurement and calculation of capacitance for most of the samples. At last, diodes were compared to a commercial diode BAT43.

Klíčová slova

polovodičová součástka, schottkyho dioda, schottkyho bariéra, schottkyho jev, kontakt kov-polovodič, V-A charakteristika, fotolitografie, usměrňování vysokých frekvencí semiconductor device, schottky diode, schottky barrier, schottky effect, metal-semiconductor junction, current-voltage characteristics, photolitography, high frequency rectifying

Jazyk práce: čeština

Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 17. 5. 2013

Obhajoba závěrečné práce

• Obhajoba proběhla 18. 6. 2013
• Vedoucí: doc. RNDr. Petr Mikulík, Ph.D.

Masarykova univerzita

Přírodovědecká fakulta

Magisterský studijní program / obor:
Fyzika / Fyzika kondenzovaných látek