Amorfní chalkogenidové tenké vrstvy

Ing. Petra Hawlová

Disertační práce

Amorphous chalcogenide thin films

Anotace:

Disertační práce se zabývá přípravou a studiem objemových materiálů a amorfních tenkých vrstev systému Ge-As-Te. Tenké vrstvy byly připraveny technikou pulzní laserové depozice. Připravené tenké vrstvy a objemové vzorky byly studovány pomocí skenovacího elektronového mikroskopu s energiově-disperzním rentgenovým analyzátorem, Ramanovou spektroskopií, rentgenovou difrakcí, mikroskopií atomárních sil, diferenční skenovací kalorimetrií, hmotnostní spektrometrií LDI-TOF MS, měření povrchového napětí metodou přisedlé kapky a měření hustoty hydrostatickou metodou. Pomocí spektrální elipsometrie s proměnným úhlem dopadu byla studována fotostabilita vrstev jak v reverzibilním, tak i v ireverzibilním režimu.

Abstract:

The dissertation thesis studied the bulk materials and the amorphous thin layers of the Ge-As-Te system. Thin layers were prepared by pulsed laser deposition. The prepared thin films and bulk samples were studied by scanning electron microscope with the energy dispersion X-ray analyzer, Raman spectroscopy, X-ray diffraction, atomic force microscopy, differential scanning calorimetry, LDI-TOF MS mass spectrometry, measurement of surface tension and density measurement. By the spectroscopic ellipsometry with a variable angle of incidence were studied photostability of thin films in reversible and irreversible mode.

Klíčová slova

amorfní chalkogenidy, GeAsTe, fotoindukované jevy, fotostabilita, pulzní laserová depozice, spektrální elipsometrie

Jazyk práce: čeština

Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 21. 8. 2017

Zveřejnit od: 31. 12. 2999

Obhajoba závěrečné práce

• Obhajoba proběhla 21. 11. 2017

Univerzita Pardubice

Fakulta chemicko-technologická

Doktorský studijní program / obor:
Chemie a technologie materiálů / Povrchové inženýrství