Výkonové polovodičové součástky - přehled trhu

Lukáš Gelnar

Bachelor's thesis

Power Semiconductor Devices - Market Survey

Anotácia:

Tato bakalářská práce se zabývá přehledem trhu výkonových polovodičových součástek. V teoretické části jsou popsány statické i dynamické parametry, značky, charakteristiky a struktury součástek. Obsahuje popis nejpoužívanějších polovodičových součástek, jako je dioda, tyristor, GTO tyristor, IGCT tyristor, bipolární tranzistor, FET tranzistor, IGBT tranzistor. V neposlední řadě zde patří příslušenství pro tyto součástky, např. chladiče, řídicí a budicí jednotky. Praktická část je zpracována formou rešerše. V této části jsou porovnávány elektrické parametry a možnosti jejich aplikace. Srovnávají se zde nejznámější výrobci polovodičových součástek, např. ABB, Westcode, Mitsubishi, Semikron a jiní. V závěru práce se nachází zhodnocení a trendy ve vývoji polovodičových prvků.

Abstract:

This bachelor thesis provides an overview of the market power of semiconductor devices. The theoretical section provides a description of the static and dynamic parameters of semiconductor devices, which also includes schematic symbols, characteristics, and structural components. There is also a description of the following most used semiconductor devices: diode, thyristor, GTO thyristor, IGCT thyristor, bipolar transistor, FET transistor and IGBT transistor. Finally, there are is an explanation about the accessories for these components, such as, cooling, control, and drive units. The practical section is in the form of research. This section compares the electrical parameters and their possible applications. Also, the most famous manufacturers of semiconductor components are compared with one another, for example ABB, Westcode, Mitsubishi, and Semikron. In conclusion, there is an evaluation and trends in the development of semiconductor devices.

Kľúčové slová

Výkonové součástky, GTO, IGBT, IGCT, dioda, tyristor, spínač, tranzistor

Keywords

Power device, GTO, IGBT, IGCT, diode, thyristor, switch, transistor

Jazyk práce: Czech

Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 7. 5. 2013

Obhajoba závěrečné práce

• Obhajoba proběhla 4. 6. 2013
• Vedúci: Petr Vaculík
• Oponent: Václav Sládeček

VŠB - Technical University of Ostrava

Fakulta elektrotechniky a informatiky

Bachelor programme / odbor:
Elektrotechnika / Aplikovaná a komerční elektronika