PN přechody polovodičových součástek

Martin Sládek

Bakalářská práce

The P-N junctions of semiconductor

Anotace:

Tato bakalářská práce pojednává o tématu polovodičových součástek s PN přechodem. První kapitola je o polovodičových materiálech a vzniku volných nosičů náboje. Po vysvětlení principu PN přechodu je v BP dále popsán princip funkce a využití jednotlivých polovodičových součástek v praxi. Poslední kapitola teoretické části je věnována kvalitativní metodě analýzy PN přechodů pomocí EBIC detektoru skenovacího elektronového mikroskopu, na což je navázáno v praktické části měřením vybraného vzorku využitím této metody.

Abstract:

This bechelor thesis deals with the subject of semiconductor devices with P-N junction. The opening chapter is about semiconductor materials and emergence of the charge carriers. After the explanation of principle of both, the P-N junction, its function and use of each semiconductor device is described. The last chapter of the theoretical part is devoted to analysis of P-N junctions using EBIC detector of the scanning electron microscope, witch is followed by the practical part, in witch the selected sample is measured by using this method.

Klíčová slova

EBIC, SEM, PN přechod, polovodič

Keywords

EBIC, SEM, P-N junction, semiconductor

Jazyk práce: čeština

Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 31. 3. 2019

Obhajoba závěrečné práce

• Vedoucí: Ing. Monika Hromasová, Ph.D.

Česká zemědělská univerzita v Praze

Technická fakulta

Bakalářský studijní program / obor:
Zemědělské inženýrství / Informační a řídicí technika v agropotravinářském komplexu