Nativní defekry a dopování SnSe

Ing. Kateřina Čermák Šraitrová

Disertační práce

Intrinsic defects and doping of SnSe

Anotace:

SnSe je polovodič s výraznými termoelektrickými vlastnostmi, který však díky své 2D povaze může být zajímavý např. i z hlediska spintroniky. Vlastnosti SnSe jsou úzce svázány s koncentrací nativních defektů (vakancí) ale také jejich interakce s dopantem. Vyšetřovala jsem teplotní závislosti (1073-473 K) rovnovážné koncentrace vakancí ve stechiometrickém SnSe a dále také interakce dopantu (As) s defektní strukturou SnSe.

Abstract:

SnSe is semiconductor with marked thermoelectric properties. In view of its 2D nature it could be interesting also in terms of spintronics. Properties of SnSe are strongly connected with the concentration of intrinsic defects (vacancies) and with the interaction of intrinsic defects with the dopants. I investigated the temperature dependence (1073-473 K) of equilibrium concentration of vacancies in stoichiometric SnSe and further the interaction of dopant (As) with defect structure of SnSe.

Klíčová slova

Selenid cínatý, SnSe, nativní defekty, vakance, dopování

Jazyk práce: čeština

Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 7. 5. 2021

Obhajoba závěrečné práce

• Obhajoba proběhla 24. 6. 2021
• Vedoucí: prof. Ing. Čestmír Drašar, Dr.

Univerzita Pardubice

Fakulta chemicko-technologická

Doktorský studijní program / obor:
Chemie a technologie materiálů / Chemie a technologie anorganických materiálů