Ramanská spektroskopie silně legovaného Si a slitin SiGe – Bc. Miloslav Havelka
Bc. Miloslav Havelka
Diplomová práce
Ramanská spektroskopie silně legovaného Si a slitin SiGe
Raman spectroscopy of heavily doped Si and SiGE alloys
Anotace:
Hlavním cílem této práce bylo pořídit a analyzovat ramanská spektra silně legovaného křemíku s koncentracemi od 1018 cm-3 od 1019 cm-3. Ve spektrech pozorujeme dominantní fononový pás v blízkosti 520 cm-1, která je překrytý širokou luminiscenční strukturou. U vzorků s vysokou koncentrací lze fononový pás dobře proložit symetrickým Voigtovým profilem, u vzorků s vysokou koncentrací asymetrickým Fanovým …víceAbstract:
The main goal of this thesis is to investigate Raman spectra of heavily doped silicon, covering the dopant concentration from 1018 cm-3 to 1019 cm-3. We have observed a dominant Raman-active phonon peak close to the wavenumber of 520 cm-1, superposed on a broad luminescence structrure. The phonon peak is fitted well by the composite Lorentz-Gauss (Voigt) profile in spectra of samples with lighter doping …více
Jazyk práce: čeština
Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 25. 5. 2009
Identifikátor:
https://is.muni.cz/th/raa9n/
Obhajoba závěrečné práce
- Obhajoba proběhla 12. 6. 2009
- Vedoucí: prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc.
Plný text práce
Obsah online archivu závěrečné práce
Zveřejněno v Theses:- světu
Jak jinak získat přístup k textu
Instituce archivující a zpřístupňující práci: Masarykova univerzita, Přírodovědecká fakultaMasarykova univerzita
Přírodovědecká fakultaMagisterský studijní program / obor:
Fyzika / Fyzika kondenzovaných látek