Ramanská spektroskopie silně legovaného Si a slitin SiGe – Bc. Miloslav Havelka
Bc. Miloslav Havelka
Master's thesis
Ramanská spektroskopie silně legovaného Si a slitin SiGe
Raman spectroscopy of heavily doped Si and SiGE alloys
Abstract:
Hlavním cílem této práce bylo pořídit a analyzovat ramanská spektra silně legovaného křemíku s koncentracemi od 1018 cm-3 od 1019 cm-3. Ve spektrech pozorujeme dominantní fononový pás v blízkosti 520 cm-1, která je překrytý širokou luminiscenční strukturou. U vzorků s vysokou koncentrací lze fononový pás dobře proložit symetrickým Voigtovým profilem, u vzorků s vysokou koncentrací asymetrickým Fanovým …moreAbstract:
The main goal of this thesis is to investigate Raman spectra of heavily doped silicon, covering the dopant concentration from 1018 cm-3 to 1019 cm-3. We have observed a dominant Raman-active phonon peak close to the wavenumber of 520 cm-1, superposed on a broad luminescence structrure. The phonon peak is fitted well by the composite Lorentz-Gauss (Voigt) profile in spectra of samples with lighter doping …more
Language used: Czech
Date on which the thesis was submitted / produced: 25. 5. 2009
Identifier:
https://is.muni.cz/th/raa9n/
Thesis defence
- Date of defence: 12. 6. 2009
- Supervisor: prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc.
Citation record
Full text of thesis
Contents of on-line thesis archive
Published in Theses:- světu
Other ways of accessing the text
Institution archiving the thesis and making it accessible: Masarykova univerzita, Přírodovědecká fakultaMasaryk University
Faculty of ScienceMaster programme / field:
Physics / Condensed Matter Physics