Studium polovodičových vrstev s kvantovými tečkami pomocí rtg metod

Mgr. Milan Heczko

Bakalářská práce

Study of semiconductor layers containing quantum dots using x-ray techniques

Anotace:

Tato práce se zabývá studiem polovodičových vrstev a polovodičových vrstev s kvantovými tečkami pomocí RTG reflektometrie a RTG difraktometrie. Zaměřuje se zejména na vyšetřování tloušťek polovodičových monovrstev a multivrstev, zjišťování mřížkových parametrů materiálů vrstev a také na určování složení ternárních sloučenin. Zkoumány jsou zejména sloučeniny InxGa1-xAs a GaAs1-xSbx na GaAs substrátech. Získané výsledky jsou porovávány s původními odhady a předpoklady výrobců.

Abstract:

This thesis studies semiconductor layers and semiconductor layers with quantum dots by x-ray reflectometry and x-ray difractometry. It focuses in particular on the investigation of thicknesses of semiconductor monolayers and multilayers, the lattice parameters of the survey materials of layers and determining the composition of ternary compounds. Investigated compounds are particulary InxGa1-xAs and GaAs1-xSbx on GaAs substrates. The obtained results are compared with original estimates by manufacturers.

Klíčová slova

polovodičové, vrstvy, kvantové, tečky, semiconductor, layer, quantum, dot, rtg, reflektometrie, difraktometrie, difrakce, reflexe, koncentrace, ternární, sloučeniny, difraction, x-ray, reflectometry, GaAs, InAs, tloušťka, thickness

Jazyk práce: čeština

Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 20. 5. 2011

Obhajoba závěrečné práce

• Obhajoba proběhla 27. 6. 2011
• Vedoucí: Mgr. Ondřej Caha, Ph.D.

Masarykova univerzita

Přírodovědecká fakulta

Bakalářský studijní program / obor:
Fyzika / Fyzika