Bc. Pavel RABAS
Master's thesis
Driver pro buzení IGBT/MOSFET vyšších výkonů
Driver for driving IGBT/MOSFET of higher rated power
Abstract:
Tato diplomová práce řeší otázku návrhu budičů pro výkonové tranzistory MOSFET/IGBT a problematiku s tím spojenou, přičemž se především věnuje použití součástky IGBT. První část práce stručně seznamuje se spínací součástkou IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) a věnuje se jejím parametrům umožňujícím snazší pochopení problematiky, nikoli vnitřní struktuře této součástky. Následující část práce …moreAbstract:
This thesis addresses the issue of design of power transisor drivers MOSFET/IGBT and associated problems while being mainly devoted to the use of an IGBT component. The first part briefly introduces the switching component of IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) and is mainly dedicated to its parameters enabling easier understanding of the issue not to the component internal structure as such. …more
Language used: Czech
Date on which the thesis was submitted / produced: 9. 5. 2012
Accessible from:: 31. 12. 2999
Thesis defence
- Date of defence: 31. 5. 2012
- Supervisor: Doc. Ing. Pavel Drábek, Ph.D.
Citation record
The right form of listing the thesis as a source quoted
RABAS, Pavel. Driver pro buzení IGBT/MOSFET vyšších výkonů. Plzeň, 2012. diplomová práce (Ing.). ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI. Fakulta elektrotechnická
Full text of thesis
Accessibility: Autor si nepřeje zpřístupnění práce veřejnosti
Contents of on-line thesis archive
Published in Theses:- Soubory jsou nedostupné.
Other ways of accessing the text
Institution archiving the thesis and making it accessible: ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI, Fakulta elektrotechnickáUniversity of West Bohemia
Fakulty of Electrical EngineeringMaster programme / field:
Electrical Engineering and Informatics / Industrial Electronics and Electromechanical Engineering