Bc. Pavel RABAS

Master's thesis

Driver pro buzení IGBT/MOSFET vyšších výkonů

Driver for driving IGBT/MOSFET of higher rated power
Abstract:
Tato diplomová práce řeší otázku návrhu budičů pro výkonové tranzistory MOSFET/IGBT a problematiku s tím spojenou, přičemž se především věnuje použití součástky IGBT. První část práce stručně seznamuje se spínací součástkou IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) a věnuje se jejím parametrům umožňujícím snazší pochopení problematiky, nikoli vnitřní struktuře této součástky. Následující část práce …more
Abstract:
This thesis addresses the issue of design of power transisor drivers MOSFET/IGBT and associated problems while being mainly devoted to the use of an IGBT component. The first part briefly introduces the switching component of IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) and is mainly dedicated to its parameters enabling easier understanding of the issue not to the component internal structure as such. …more
 
 
Language used: Czech
Date on which the thesis was submitted / produced: 9. 5. 2012
Accessible from:: 31. 12. 2999

Thesis defence

  • Date of defence: 31. 5. 2012
  • Supervisor: Doc. Ing. Pavel Drábek, Ph.D.

Citation record

The right form of listing the thesis as a source quoted

RABAS, Pavel. Driver pro buzení IGBT/MOSFET vyšších výkonů. Plzeň, 2012. diplomová práce (Ing.). ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI. Fakulta elektrotechnická

Full text of thesis

Accessibility: Autor si nepřeje zpřístupnění práce veřejnosti

Contents of on-line thesis archive
Published in Theses:
  • Soubory jsou nedostupné.
Other ways of accessing the text
Institution archiving the thesis and making it accessible: ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI, Fakulta elektrotechnická

University of West Bohemia

Fakulty of Electrical Engineering

Master programme / field:
Electrical Engineering and Informatics / Industrial Electronics and Electromechanical Engineering

Theses on a related topic