Driver pro buzení IGBT/MOSFET vyšších výkonů – Bc. Pavel RABAS
Bc. Pavel RABAS
Diplomová práce
Driver pro buzení IGBT/MOSFET vyšších výkonů
Driver for driving IGBT/MOSFET of higher rated power
Anotace:
Tato diplomová práce řeší otázku návrhu budičů pro výkonové tranzistory MOSFET/IGBT a problematiku s tím spojenou, přičemž se především věnuje použití součástky IGBT. První část práce stručně seznamuje se spínací součástkou IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) a věnuje se jejím parametrům umožňujícím snazší pochopení problematiky, nikoli vnitřní struktuře této součástky. Následující část práce …víceAbstract:
This thesis addresses the issue of design of power transisor drivers MOSFET/IGBT and associated problems while being mainly devoted to the use of an IGBT component. The first part briefly introduces the switching component of IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) and is mainly dedicated to its parameters enabling easier understanding of the issue not to the component internal structure as such. …více
Jazyk práce: čeština
Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 9. 5. 2012
Zveřejnit od: 31. 12. 2999
Obhajoba závěrečné práce
- Obhajoba proběhla 31. 5. 2012
- Vedoucí: Doc. Ing. Pavel Drábek, Ph.D.
Citační záznam
Jak správně citovat práci
RABAS, Pavel. Driver pro buzení IGBT/MOSFET vyšších výkonů. Plzeň, 2012. diplomová práce (Ing.). ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI. Fakulta elektrotechnická
Plný text práce
Právo: Autor si nepřeje zpřístupnění práce veřejnosti
Obsah online archivu závěrečné práce
Zveřejněno v Theses:- Soubory jsou nedostupné.
Jak jinak získat přístup k textu
Instituce archivující a zpřístupňující práci: ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI, Fakulta elektrotechnickáZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI
Fakulta elektrotechnickáMagisterský studijní program / obor:
Elektrotechnika a informatika / Průmyslová elektronika a elektromechanika