Zpět na vyhledávání

Bc. Dinh Hung TRUONG

Master's thesis

Moderní polovodičové součástky ve výkonové elektronice

Modern semiconductor components in power electronics
Abstract:
Polovodičové součástky na bázi křemíku (Si) a arsenik galia (GaAs) nejsou vhodné pro použití ve vysokých teplotách, napětích a ve vysokofrekvenčních zařízeních. Velká mechanická pevnost, vysoká tepelná vodivost a široký zakázaný pás jsou vlastnosti, které z SiC dělá vhodného kandidáta pro použití v polovodičové technice.
Abstract:
Semiconductor devices based on silicon (Si) and gallium arsenic (GaAs) are not suitable for use in high temperature, voltage and high frequency device. Great mechanical strength, high thermal conductivity and wide bandgap are properties of SiC, which makes a good candidate for use in semiconductor technology.
 

Keywords

SiC Karbid křemíku 3C-SiC 4H-SiC 6H-SiXC polytypie epitaxe ohmický kontakt Schottkyho kontakt PN dioda s SiC Schottkyho dioda s SiC VJFET s SiC pulsní měnič
 
Language used: Czech
Date on which the thesis was submitted / produced: 11. 5. 2012
Accessible from:: 11. 5. 2013

Thesis defence

  • Supervisor: Ing. Pavel Drábek, Ph.D.

Citation record

Cite this text
The right form of listing the thesis as a source quoted

TRUONG, Dinh Hung. Moderní polovodičové součástky ve výkonové elektronice. Plzeň, 2012. diplomová práce (Ing.). ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI. Fakulta elektrotechnická

Full text of thesis

Accessibility: Autor si přeje zpřístupnit práci veřejnosti od 11.5.2013

Contents of on-line thesis archive
Published in Theses:
  • Soubory jsou od 11. 5. 2013 dostupné: světu
Other ways of accessing the text
Institution archiving the thesis and making it accessible: ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI, Fakulta elektrotechnická
https://portal.zcu.cz/stag?urlid=prohlizeni-prace-detail&praceIdno=40793 Reference to the local database file of the institution