Moderní polovodičové součástky ve výkonové elektronice – Bc. Dinh Hung TRUONG
Bc. Dinh Hung TRUONG
Master's thesis
Moderní polovodičové součástky ve výkonové elektronice
Modern semiconductor components in power electronics
Abstract:
Polovodičové součástky na bázi křemíku (Si) a arsenik galia (GaAs) nejsou vhodné pro použití ve vysokých teplotách, napětích a ve vysokofrekvenčních zařízeních. Velká mechanická pevnost, vysoká tepelná vodivost a široký zakázaný pás jsou vlastnosti, které z SiC dělá vhodného kandidáta pro použití v polovodičové technice.Abstract:
Semiconductor devices based on silicon (Si) and gallium arsenic (GaAs) are not suitable for use in high temperature, voltage and high frequency device. Great mechanical strength, high thermal conductivity and wide bandgap are properties of SiC, which makes a good candidate for use in semiconductor technology.
Language used: Czech
Date on which the thesis was submitted / produced: 11. 5. 2012
Accessible from:: 11. 5. 2013
Thesis defence
- Supervisor: Ing. Pavel Drábek, Ph.D.
Citation record
The right form of listing the thesis as a source quoted
TRUONG, Dinh Hung. Moderní polovodičové součástky ve výkonové elektronice. Plzeň, 2012. diplomová práce (Ing.). ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI. Fakulta elektrotechnická
Full text of thesis
Accessibility: Autor si přeje zpřístupnit práci veřejnosti od 11.5.2013
Contents of on-line thesis archive
Published in Theses:- Soubory jsou od 11. 5. 2013 dostupné: světu
Other ways of accessing the text
Institution archiving the thesis and making it accessible: ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI, Fakulta elektrotechnickáUniversity of West Bohemia
Fakulty of Electrical EngineeringMaster programme / field:
Electrical Engineering and Informatics / Commercial Electrical Engineering
Theses on a related topic
-
Příprava a charakterizace Schottkyho diod
Radovan Čech -
Součástky na bázi SiC ve výkonové elektronice
Karel VIRT -
Návrh měniče s využitím komponentů SiC
Antonín Tomšů -
Součástky na bázi SiC ve výkonové elektronice
Karel VIRT -
Moderní trendy v oblasti SiC polovodičů
Libor Pavlů -
Nové koncepce výkonových pulsních měničů s použitím extrémně rychlých spínacích polovodičů na bázi karbidu křemíku
Jan Kuzdas -
Nové koncepce výkonových pulsních měničů s použitím extrémně rychlých spínacích polovodičů na bázi karbidu křemíku
Jan Kuzdas -
Pulsní měnič s SiC tranzistorem
Matouš Danielka