Odporové spínání v tenkých vrstvách chalkogenidů

Ing. Bo Zhang

Doctoral thesis

Resistive switching with chalcogenide thin layer

Abstract:

Resistive switching memory technology shows promising future to replace the traditional flash-disc or disk memory. Ag or Cu doped chalcogenide thin layer is typical electrolyte and the high and the low resistance is adjusted due to the formation and dissolution of conductive filament. More specifically, AsS2 and GeSe2 were selected as electrolyte and Ag was doped in the electrolyte layer by photo doping and dissolution from the top or bottom of electrolyte layer. In addition, the geometries of device also influence the parameters of resistive switching behaviour.

Abstract:

Technologie resistivního přepínání paměti slibuje budoucnost, které nahradí tradiční paměť typu "flash-disku" nebo diskové paměti. Tenká vrstva chalkogenidu, dopovaného Ag nebo Cu, je typickým elektrolytem a vysoký a nízky odpor se upravují v důsledku tvorby a rozpouštění vodivého vlákna. Přesněji řečeno, AsS2 a GeSe2 byly vybrány jako elektrolyt a Ag bylo dopovaná v elektrolytické vrstvě "foto-dopingem" a rozpouštěním z horní nebo spodní vrstvy kovu do elektrolytu. Navíc geometrie paměťových cel ovlivňuje také parametry odporového spínání

Keywords

Odporové spínání, tenké vrsty chalkogenidů, vodivé vlákno

Language used: English

Date on which the thesis was submitted / produced: 12. 7. 2017

Accessible from:: 31. 12. 2999

Thesis defence

• Date of defence: 7. 9. 2017

University of Pardubice

Faculty of Chemical Technology

Doctoral programme / field:
Chemistry and Technology of Materials / Chemistry and Technology of Inorganic Materials