Moderní trendy v oblasti SiC polovodičů – Libor Pavlů
Libor Pavlů
Bachelor's thesis
Moderní trendy v oblasti SiC polovodičů
Modern Trends in the Field of SiC Semiconductors
Anotácia:
Bakalářská práce se zabývá popisem, vlastnostmi krystalové struktury sloučenin karbidu křemíku a jejich rozdíly v krystalové struktuře. Provedením průzkumu trhu je zjištěna dostupnost SiC polovodičů na trhu, kterým se poté věnuji a popisuji jejich konstrukce, vlastnosti, použití. Pro porovnání Si polovodičů s SiC je použito modelování statických charakteristik v simulačních programech. Tyto simulace …viacAbstract:
This thesis deals with the description, the characteristics of the crystal structures of compounds of silicon carbide and their differences in the crystal structure. Availability of SiC semiconductors was found out by market research. I devote to these SiC semiconductors, and describe their construction, properties, and applications.For comparison Si semiconductor with SiC, modeling of static characteristics …viac
Jazyk práce: Czech
Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 7. 5. 2013
Identifikátor:
http://hdl.handle.net/10084/98806
Obhajoba závěrečné práce
- Obhajoba proběhla 4. 6. 2013
- Vedúci: Petr Vaculík
- Oponent: Tomáš Pavelek
Citační záznam
Plný text práce
Právo: Plné texty vysokoškolských kvalifikačních prací obhájených na Vysoké škole báňské - Technické univerzitě Ostrava jsou uloženy v repozitáři DSpace. Přístup k plným textům mají všichni uživatelé bez omezení. Přístup je omezen pouze ve výjimečných případech, zpravidla z důvodu ochrany duševního vlastnictví. Nepřístupné práce jsou označeny jako closedAccess nebo embargoedAccess. Tištěné verze prácí jsou uloženy v Ústřední knihovně VŠB-TUO a jsou prezenčně přístupné ve studovně diplomových prací. Další nakládání s prací (kopírování, opisy, MVS) se řídí Knihovní a výpůjčním řádem Ústřední knihovny VŠB-TUO.
Obsah online archivu závěrečné práce
Zveřejněno v Theses:- autentizovaným zaměstnancům ze stejné školy/fakulty
Jak jinak získat přístup k textu
Instituce archivující a zpřístupňující práci: VŠB - Technická univerzita OstravaVŠB - Technical University of Ostrava
Fakulta elektrotechniky a informatikyBachelor programme / odbor:
Elektrotechnika / Aplikovaná a komerční elektronika
Práce na příbuzné téma
-
Napěťový střídač s SiC moduly
Martin ZAVŘEL -
Počítačové modelování růstu monokrystalů SiC metodou PVT
Łukasz Kantor -
Spektroskopie SiC monokrystalických substrátů
Jan Hůla -
Analýza použití SiC při výrobě litin
Petr Kopka -
Vliv brusných kotoučů na parametry desek z karbidu křemíku
Vojtěch Schneider -
Návrh měniče s využitím komponentů SiC
Antonín Tomšů -
Pulsní měnič s SiC tranzistorem
Matouš Danielka -
Součástky na bázi SiC ve výkonové elektronice
Karel VIRT