Tepelné modely výkonových polovodičových modulů

Tomáš HALVONÍK

Bakalářská práce

Thermal models for power semiconductor modules

Anotace:

Předkládaná bakalářská práce je zaměřena na vytvoření tepelných modelů výkonových polovodičových modulů pomocí Fosterovy a Cauerovy sítě složené z RC článků. Výsledky simulací jsou porovnávána a hodnocena naměřenými hodnotami teploty čipu IGBT, získané pomocí měření tepelně závislých parametrů polovodiče a teploty base plate (základní desky) získané pomocí termistoru. Výsledkem práce je získat model, který bude věrohodně reprezentovat nárůst teploty uvnitř struktury modulu, jak v rychlých přechodových dějích, tak při dlouhých pracovních cyklech

Abstract:

Following bachelor work is focused on creating thermal model of semiconductor power module by using thermal model based on Cauer and Foster network of RC components. Results of the simulation are then comparted with temperature measurement of an IGBT chip, acquired by measuring thermal sensitive parameters of semiconductor and temperature of baseplate acquired by thermistor. Result is model that will accurately represent temperature increase inside the structure of the module in short work cycles and also during the long working periods.

Klíčová slova

Výkonová polovodičová součástka (VPS), IGBT, výkonový polovodičový modul, propustné ztráty, spínací ztráty, tepelná vodivost, tepelný odpor, tepelná kapacita, metoda konečných diferencí, metoda konečných elementů, Cauer, Foster, tepelný model, tepelně závislé parametry

Jazyk práce: čeština

Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 19. 6. 2020

Zveřejnit od: 31. 12. 2999

Obhajoba závěrečné práce

• Vedoucí: Ing. Jakub Ševčík

ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI

Fakulta elektrotechnická

Bakalářský studijní program / obor:
Elektrotechnika a informatika / Elektrotechnika a energetika