Charakterizace mikrodefektů v monokrystalech Czochralskiho\nl{} křemíku

Bc. Ema Jiroušková

Diplomová práce

Characterization of microdefects in Czochralski silicon single crystals

Anotace:

Předkládaná diplomová práce se zabývá studium mikrodefektů ve slabě legovaném N-typovém Czochralskim křemíku. Charakterizace distribuce a charakteru mikrodefektů v křemíkových deskách byla provedena pro dvě skupiny desek lišících se podstoupením kroku denudačního žíhání. Na deskách byly provedeny vysokoteplotní testy s cílem zvýraznit existující mikrodefekty. Analýza mikrodefektů na křemíkových deskách byla provedena pomocí optické mikroskopie a skenovací elektronové mikroskopie s metodou detekce hran a rozptylem laserového svazku. Diplomová práce byla vytvořena za podpory společnosti ON Semiconductor Czech Republic, s. r. o. v Rožnově pod Radhoštěm.

Abstract:

The presented diploma thesis deals with the study of microdefects in lightly doped N-type Czochralski silicon. Characterization of the distribution and nature of microdefects in silicon wafers was performed for two groups of wafers differing in the denudation annealing step. High-temperature tests were conducted on the wafers to highlight existing microdefects. Analysis of microdefects on the silicon wafers was carried out by using optical microscopy and scanning electron microscopy with edge detection method and laser beam scattering. This diploma thesis was created with the support of ON Semiconductor Czech Republic, s.r.o. in Rožnov pod Radhoštěm.

Klíčová slova

Czochralskiho křemík, mikrodefekty, denudační žíhání, vysokoteplotní testy

Jazyk práce: čeština

Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 9. 5. 2024

Zveřejnit od: 31. 12. 2999

Obhajoba závěrečné práce

• Vedoucí: Ing. Lukáš Střižík, Ph.D.

Univerzita Pardubice

Fakulta chemicko-technologická

Magisterský studijní program / obor:
Materiálové inženýrství / Materiálové inženýrství