Moderní způsoby řešení budicích obvodů MOSFET a IGBT tranzistorů – Pavel Dlugi
Pavel Dlugi
Bachelor's thesis
Moderní způsoby řešení budicích obvodů MOSFET a IGBT tranzistorů
Modern Arrangements of MOSFET and IGBT Drivers
Anotácia:
Bakalářská práce se zabývá moderním způsobem řešení budicích obvodů s IGBT a MOSFET tranzistory. Budiče jsou řídicí obvody, které slouží ke spínacím účelům polovodičových součástek. Moderním způsobem řešení budiče rozumíme jeho modifikaci. V tom to konkrétním případě, jde o modifikaci na vstupu budiče. Kdy je nahrazen klasický kabelový vstup, optickým vstupem. V teoretické části jsou popsány polovodičové …viacAbstract:
The bachelor thesis deals with modern way of solution of driving circuits with IGBT and MOSFET transistors. Drivers are control circuits that are determined for switching purposes of semiconductor components. Modern way of solution of driver is its modification. In this case it is a modification of input of a driver. Cable input is replaced with optical input. In theoretical part, semiconductor switching …viac
Jazyk práce: Czech
Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 7. 5. 2013
Identifikátor:
http://hdl.handle.net/10084/98772
Obhajoba závěrečné práce
- Obhajoba proběhla 4. 6. 2013
- Vedúci: Petr Vaculík
- Oponent: Petr Chlebiš
Citační záznam
Citace dle ISO 690:
DLUGI, Pavel. \textit{Moderní způsoby řešení budicích obvodů MOSFET a IGBT tranzistorů}. Online. Bakalárska práca. Ostrava: Vysoká škola báňská - Technická univerzita Ostrava, Fakulta elektrotechniky a informatiky. 2013. Dostupné z: https://theses.cz/id/ucscye/.
Plný text práce
Právo: Plné texty vysokoškolských kvalifikačních prací obhájených na Vysoké škole báňské - Technické univerzitě Ostrava jsou uloženy v repozitáři DSpace. Přístup k plným textům mají všichni uživatelé bez omezení. Přístup je omezen pouze ve výjimečných případech, zpravidla z důvodu ochrany duševního vlastnictví. Nepřístupné práce jsou označeny jako closedAccess nebo embargoedAccess. Tištěné verze prácí jsou uloženy v Ústřední knihovně VŠB-TUO a jsou prezenčně přístupné ve studovně diplomových prací. Další nakládání s prací (kopírování, opisy, MVS) se řídí Knihovní a výpůjčním řádem Ústřední knihovny VŠB-TUO.
Obsah online archivu závěrečné práce
Zveřejněno v Theses:- autentizovaným zaměstnancům ze stejné školy/fakulty
Jak jinak získat přístup k textu
Instituce archivující a zpřístupňující práci: VŠB - Technická univerzita OstravaVŠB - Technical University of Ostrava
Fakulta elektrotechniky a informatikyBachelor programme / odbor:
Elektrotechnika / Aplikovaná a komerční elektronika
Práce na příbuzné téma
-
Metody měkkého spínání a optimalizace výstupní části budiče MOSFET tranzistorů
Vladimír Trojan -
Simulační model pro demonstraci problematiky spínacích jevů MOSFETů ve výkonové elektronice
Vladimír Glomb -
Návrh spínací struktury implementující MOSFETy pracující v režimu ochuzování ve výkonové elektronice
Petr Kasala -
Transportní a šumové charakteristiky tranzistorů MOSFET
Miloš Chvátal -
Modely a modelování tranzitorů MOSFET
Václav TŘÍSKA -
Model tranzistoru MOSFET v programu SystemVision
Branislav Michálek -
Analýza polovodičových prvků Si MOSFET a GaN se základní topologií budicí obvodů
Alexandr JUSTIN -
Experimentální spínaný zdroj s tranzistory GaN MOSFET
Maroš Matiaško