Bc. Tomáš Procházka

Diplomová práce

Studium strukturních vlastností GaN a AlGaN vrstev pomocí metod rtg difrakce

Study of structural properties of GaN and AlGaN layers using x-ray diffraction methods
Anotace:
GaN a AlGaN mají v současné době stále větší význam v polovodičovém průmyslu. Velká pozornost je věnována zejména přípravě epitaxních vrstev s minimálním množstvím defektů (dislokací). Tato práce se věnuje jednak studiu strukturních vlastností jednotlivých vzorků (tloušťka vrstev, mřížkové parametry, koncentrace AlN a GaN, deformace), ale také je pomocí dvou různých metod určena koncentrace dislokací …více
Abstract:
Recently, GaN and AlGaN have become increasingly important in the semiconductor industry. Great attention is paid to the preparation of epitaxial layers with minimal number of defects (dislocations). This work focuses on the one hand, on the study of structural properties of individual samples (thickness of layers, the lattice parameters, the concentration of AlN and GaN, deformations), but also by …více
 
 
Jazyk práce: angličtina
Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 12. 5. 2016

Obhajoba závěrečné práce

  • Obhajoba proběhla 15. 6. 2016
  • Vedoucí: Mgr. Ondřej Caha, Ph.D.

Citační záznam

Plný text práce

Obsah online archivu závěrečné práce
Zveřejněno v Theses:
  • světu
Jak jinak získat přístup k textu
Instituce archivující a zpřístupňující práci: Masarykova univerzita, Přírodovědecká fakulta

Masarykova univerzita

Přírodovědecká fakulta

Magisterský studijní program / obor:
Fyzika / Fyzika kondenzovaných látek