Alexandr JUSTIN

Bachelor's thesis

Analýza polovodičových prvků Si MOSFET a GaN se základní topologií budicí obvodů

Analysis of semiconductor based on Si MOSFET and GaN with a basic driver topology.
Abstract:
Nejprve je provedena důkladná rešerše technologií výkonových GaN tranzistorů, následuje rešerše Si MOSFET tranzistorů. V návaznosti na to jsou porovnány tranzistory a probráno GaN HEMT spínání na 1MHz a Si MOSFET spínání na 1kHz. V poslední části se práce zabývá zvolením vhodných budících obvodů pro tyto tranzistory v zapojení do půl můstku. Návrh budících obvodů zahrnuje výběr a dimenzování galvanicky …more
Abstract:
First, a thorough exploration of GaN power transistors technology is performed, followed by exploration of Si MOSFET transistors technology. After, the transistors are compared and GaN HEMT switching at 1MHz is discused, then Si MOSFET switching at 1kHz is discused. In the last part, the thesis deals with the selection of suitable driver circuits for these half-bridge transistors. The driver circuit …more
 
 
Language used: Czech
Date on which the thesis was submitted / produced: 13. 6. 2019
Accessible from:: 31. 12. 2999

Thesis defence

  • Supervisor: Ing. Jan Štěpánek

Citation record

The right form of listing the thesis as a source quoted

JUSTIN, Alexandr. Analýza polovodičových prvků Si MOSFET a GaN se základní topologií budicí obvodů. Plzeň, 2019. bakalářská práce (Bc.). ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI. Fakulta elektrotechnická

Full text of thesis

Accessibility: Autor si nepřeje zpřístupnění práce veřejnosti

Contents of on-line thesis archive
Published in Theses:
  • Soubory jsou nedostupné.
Other ways of accessing the text
Institution archiving the thesis and making it accessible: ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI, Fakulta elektrotechnická
Vázaný výtisk práce naleznete v Univerzitní knihovně ZČU, více na http://www.knihovna.zcu.cz/kvalifikacni-prace/