Analýza polovodičových prvků Si MOSFET a GaN se základní topologií budicí obvodů

Alexandr JUSTIN

Bakalářská práce

Analysis of semiconductor based on Si MOSFET and GaN with a basic driver topology.

Anotace:

Nejprve je provedena důkladná rešerše technologií výkonových GaN tranzistorů, následuje rešerše Si MOSFET tranzistorů. V návaznosti na to jsou porovnány tranzistory a probráno GaN HEMT spínání na 1MHz a Si MOSFET spínání na 1kHz. V poslední části se práce zabývá zvolením vhodných budících obvodů pro tyto tranzistory v zapojení do půl můstku. Návrh budících obvodů zahrnuje výběr a dimenzování galvanicky izolovaného driveru, galvanicky izolovaného DC zdroje připojeného k driveru a obvodu pro generování mrtvých časů.

Abstract:

First, a thorough exploration of GaN power transistors technology is performed, followed by exploration of Si MOSFET transistors technology. After, the transistors are compared and GaN HEMT switching at 1MHz is discused, then Si MOSFET switching at 1kHz is discused. In the last part, the thesis deals with the selection of suitable driver circuits for these half-bridge transistors. The driver circuit design includes the selection and sizing of a galvanically isolated driver, a galvanically isolated DC source connected to a driver and a dead time generation circuit.

Klíčová slova

Izolovaný driver, záporné napětí, budící obvody, blokové schéma, Křemík, Galium-nitrid, Si, GaN, výkonové tranzistory, spínací frekvence, PWM, pulsně šířková modulace, MOSFET, HEMT, FET

Jazyk práce: čeština

Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 13. 6. 2019

Zveřejnit od: 31. 12. 2999

Obhajoba závěrečné práce

• Vedoucí: Ing. Jan Štěpánek

ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI

Fakulta elektrotechnická

Bakalářský studijní program / obor:
Aplikovaná elektrotechnika / Aplikovaná elektrotechnika