Analýza polovodičových prvků Si MOSFET a GaN se základní topologií budicí obvodů – Alexandr JUSTIN
Alexandr JUSTIN
Bachelor's thesis
Analýza polovodičových prvků Si MOSFET a GaN se základní topologií budicí obvodů
Analysis of semiconductor based on Si MOSFET and GaN with a basic driver topology.
Abstract:
Nejprve je provedena důkladná rešerše technologií výkonových GaN tranzistorů, následuje rešerše Si MOSFET tranzistorů. V návaznosti na to jsou porovnány tranzistory a probráno GaN HEMT spínání na 1MHz a Si MOSFET spínání na 1kHz. V poslední části se práce zabývá zvolením vhodných budících obvodů pro tyto tranzistory v zapojení do půl můstku. Návrh budících obvodů zahrnuje výběr a dimenzování galvanicky …moreAbstract:
First, a thorough exploration of GaN power transistors technology is performed, followed by exploration of Si MOSFET transistors technology. After, the transistors are compared and GaN HEMT switching at 1MHz is discused, then Si MOSFET switching at 1kHz is discused. In the last part, the thesis deals with the selection of suitable driver circuits for these half-bridge transistors. The driver circuit …more
Language used: Czech
Date on which the thesis was submitted / produced: 13. 6. 2019
Accessible from:: 31. 12. 2999
Thesis defence
- Supervisor: Ing. Jan Štěpánek
Citation record
ISO 690-compliant citation record:
JUSTIN, Alexandr. \textit{Analýza polovodičových prvků Si MOSFET a GaN se základní topologií budicí obvodů}. Online. Bachelor's thesis. Plzeň: University of West Bohemia, Faculty of Electrical Engineering. 2019. Available from: https://theses.cz/id/wocka7/.
The right form of listing the thesis as a source quoted
JUSTIN, Alexandr. Analýza polovodičových prvků Si MOSFET a GaN se základní topologií budicí obvodů. Plzeň, 2019. bakalářská práce (Bc.). ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI. Fakulta elektrotechnická
Full text of thesis
Accessibility: Autor si nepřeje zpřístupnění práce veřejnosti
Contents of on-line thesis archive
Published in Theses:- Soubory jsou nedostupné.
Other ways of accessing the text
Institution archiving the thesis and making it accessible: ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI, Fakulta elektrotechnickáVázaný výtisk práce naleznete v Univerzitní knihovně ZČU, více na http://www.knihovna.zcu.cz/kvalifikacni-prace/
University of West Bohemia
Faculty of Electrical EngineeringBachelor programme / field:
Applied Electrical Engineering / Applied Electrical Engineering
Theses on a related topic
-
Přechodové děje na výstupu LTI systému druhého řádu se spojitým časem řízeného pulsně šířkovou modulací
Martin Petera -
Přechodový děj na výstupu lineárního spojitého systému řízeného pulsně šířkovou modulací
Martin Petera -
Návrh modulátoru a demodulátoru pro impulsní šířkovou modulaci
Miroslav Hoštička -
Výkonové spínací tranzistory
Ján Mikláš -
Návrh spínací struktury implementující MOSFETy pracující v režimu ochuzování ve výkonové elektronice
Petr Kasala -
Modernizace laboratorních úloh předmětu výkonové spínací prvky
Karel Charvát -
Budiče spínacích výkonových tranzistorů GaN MOSFET
Zbyněk Fiala -
Srovnání a optimalizace topologií pro DC/DC konverzi energie s použitím technologie GaN FET pro měniče s vysokou účinností a objemovou hustotou výkonu
Michal Šír