Radek ŠEVČÍK
Bakalářská práce
Testování bílých výkonových LED.
Testing white high power LEDs.
Anotace:
Bakalářská práce se zabývá popisem světlo emitujících diod (LED) a napájením výkonových LED. Práce na úvod čtenáře seznamuje s historií, principem činnosti a nejdůležitějšími parametry LED. A dále se zaměřuje na pulsní režim napájení výkonových LED. Na závěr bakalářské práce je provedeno měření na prakticky realizovaném vzorku navrhovaného zařízení.Abstract:
The bachelor thesis deals with description of light-emitting diode (LED) and with supply of power LED. The thesis on the preface introduces the reader to the history of LED, principle of activities and the most important paramaters of LED. And the thesis also directs at pulse mode of suply of power LED. In conclusion, this thesis is carried out measurements on the sample the proposed facility.
Jazyk práce: čeština
Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 11. 8. 2011
Zveřejnit od: 11. 8. 2011
Obhajoba závěrečné práce
- Vedoucí: RNDr. František Petráš
Citační záznam
Jak správně citovat práci
ŠEVČÍK, Radek. Testování bílých výkonových LED.. Olomouc, 2011. bakalářská práce (Bc.). UNIVERZITA PALACKÉHO V OLOMOUCI. Přírodovědecká fakulta
Plný text práce
Právo: Autor si přeje zpřístupnit práci veřejnosti až od 11. 08. 2011
Obsah online archivu závěrečné práce
Zveřejněno v Theses:- Soubory jsou od 11. 8. 2011 dostupné: světu
Jak jinak získat přístup k textu
Instituce archivující a zpřístupňující práci: UNIVERZITA PALACKÉHO V OLOMOUCI, Přírodovědecká fakultaUNIVERZITA PALACKÉHO V OLOMOUCI
Přírodovědecká fakultaBakalářský studijní program / obor:
Fyzika / Přístrojová optika
Práce na příbuzné téma
-
Budiče spínacích výkonových tranzistorů GaN MOSFET
Zbyněk Fiala -
Návrh spínací struktury implementující MOSFETy pracující v režimu ochuzování ve výkonové elektronice
Petr Kasala -
Simulační model pro demonstraci problematiky spínacích jevů MOSFETů ve výkonové elektronice
Vladimír Glomb -
Budicí obvody výkonového tranzistoru SiC MOSFET
Vojtech Vitek -
Analýza polovodičových prvků Si MOSFET a GaN se základní topologií budicí obvodů
Alexandr JUSTIN -
Driver pro buzení IGBT/MOSFET vyšších výkonů
Pavel RABAS -
Analýza možností využití výkonových MOSFETů v režimu ochuzování
Jiří Žurek -
Měnič pro napájení výkonové diody LED
Václav Puczok
Název
Vložil
Vloženo
Práva