František Zažímal

Bakalářská práce

Emise III-V heterostruktur v GaP matrici pro paměti QD-Flash

Emission from III-V heterostructures in GaP matrix for QD-flash memories
Anotace:
Vybudovali jsme novou optickou cestu umožňující studium vzorků s různými tloušťkami GaAs vrstvy na GaP substrátu pomocí metody fotoluminiscenční spektroskopie. Zaměřili jsme se zejména na vliv intenzity čerpání a teploty vzorků na jejich emisi. V prvním případě jsme pozorovali při navyšování výkonu buzení mírný modrý posuv emisních energií, který jsme vysvětlili optickou aktivitou defektů vytvořených …více
Abstract:
We set-up a new optical path enabling the study of samples with GaAs layers of various thickness in GaP substrate using the method of photoluminescence spectroscopy. We then mainly focused on the influence of excitation intensity and sample temperature on the emission. In the former case, we have observed a rather small blue-shift of the emission energy with increasing excitation power which we interpreted …více
 
 
Jazyk práce: čeština
Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 23. 5. 2019

Obhajoba závěrečné práce

  • Obhajoba proběhla 24. 6. 2019
  • Vedoucí: Mgr. Petr Klenovský, Ph.D.
  • Oponent: prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc.

Citační záznam

Plný text práce

Obsah online archivu závěrečné práce
Zveřejněno v Theses:
  • světu
Jak jinak získat přístup k textu
Instituce archivující a zpřístupňující práci: Masarykova univerzita, Přírodovědecká fakulta

Masarykova univerzita

Přírodovědecká fakulta

Bakalářský studijní program / obor:
Fyzika / Fyzika