Emise III-V heterostruktur v GaP matrici pro paměti QD-Flash – František Zažímal
František Zažímal
Bachelor's thesis
Emise III-V heterostruktur v GaP matrici pro paměti QD-Flash
Emission from III-V heterostructures in GaP matrix for QD-flash memories
Abstract:
Vybudovali jsme novou optickou cestu umožňující studium vzorků s různými tloušťkami GaAs vrstvy na GaP substrátu pomocí metody fotoluminiscenční spektroskopie. Zaměřili jsme se zejména na vliv intenzity čerpání a teploty vzorků na jejich emisi. V prvním případě jsme pozorovali při navyšování výkonu buzení mírný modrý posuv emisních energií, který jsme vysvětlili optickou aktivitou defektů vytvořených …moreAbstract:
We set-up a new optical path enabling the study of samples with GaAs layers of various thickness in GaP substrate using the method of photoluminescence spectroscopy. We then mainly focused on the influence of excitation intensity and sample temperature on the emission. In the former case, we have observed a rather small blue-shift of the emission energy with increasing excitation power which we interpreted …more
Language used: Czech
Date on which the thesis was submitted / produced: 23. 5. 2019
Identifier:
https://is.muni.cz/th/k4cij/
Thesis defence
- Date of defence: 24. 6. 2019
- Supervisor: Mgr. Petr Klenovský, Ph.D.
- Reader: prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc.
Citation record
Full text of thesis
Contents of on-line thesis archive
Published in Theses:- světu
Other ways of accessing the text
Institution archiving the thesis and making it accessible: Masarykova univerzita, Přírodovědecká fakultaMasaryk University
Faculty of ScienceBachelor programme / field:
Physics / Physics