Simulační model pro demonstraci problematiky spínacích jevů MOSFETů ve výkonové elektronice – Vladimír Glomb
Vladimír Glomb
Bakalářská práce
Simulační model pro demonstraci problematiky spínacích jevů MOSFETů ve výkonové elektronice
Simulation Model for the Power Electronics MOSFETs Switching Phenomenas Issues Demonstration
Anotace:
Tato bakalářská práce se zabývá spínacími jevy MOSFETů při spínání ve výkonové elektronice, jejich projevech na součástkách a celkovém obvodu. Tyto jevy mohou zapříčinit nesprávné fungování obvodu až zničení jednotlivých součástek obvodu, z tohoto důvodu jsou obsahem této bakalářské práce také simulace řady obvodů, ve kterých funkci spínače zastává právě MOSFET či MOSFETy. Tyto simulace nám budou sloužit …víceAbstract:
This bachelor thesis focuses on switching phenomenas of MOSFETs during switching in power electronics, their effects on components, and the overall circuit. These phenomenas can lead to improper circuit operation, even to the destruction of individual circuit components. For this reason, this bachelor thesis also includes simulations of several circuits in which the MOSFET or MOSFETs serve as the switch …víceKlíčová slova
Buzení MOSFETu drain hradlo hradlový odpor MOSFET parazitní kapacity source spínací jev
Jazyk práce: čeština
Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 30. 4. 2024
Identifikátor:
http://hdl.handle.net/10084/153806
Obhajoba závěrečné práce
- Obhajoba proběhla 4. 6. 2024
- Vedoucí: Jan Strossa
- Oponent: Aleš Havel
Citační záznam
Citace dle ISO 690:
GLOMB, Vladimír. \textit{Simulační model pro demonstraci problematiky spínacích jevů MOSFETů ve výkonové elektronice}. Online. Bakalářská práce. Ostrava: Vysoká škola báňská - Technická univerzita Ostrava, Fakulta elektrotechniky a informatiky. 2024. Dostupné z: https://theses.cz/id/z1qoix/.
Plný text práce
Právo: Plné texty vysokoškolských kvalifikačních prací obhájených na Vysoké škole báňské - Technické univerzitě Ostrava jsou uloženy v repozitáři DSpace. Přístup k plným textům mají všichni uživatelé bez omezení. Přístup je omezen pouze ve výjimečných případech, zpravidla z důvodu ochrany duševního vlastnictví. Nepřístupné práce jsou označeny jako closedAccess nebo embargoedAccess. Tištěné verze prácí jsou uloženy v Ústřední knihovně VŠB-TUO a jsou prezenčně přístupné ve studovně diplomových prací. Další nakládání s prací (kopírování, opisy, MVS)se řídí Knihovní a výpůjčním řádem Ústřední knihovny VŠB-TUO.
Obsah online archivu závěrečné práce
Zveřejněno v Theses:- autentizovaným zaměstnancům ze stejné školy/fakulty
Jak jinak získat přístup k textu
Instituce archivující a zpřístupňující práci: VŠB – Technická univerzita OstravaVŠB – Technická univerzita Ostrava
Fakulta elektrotechniky a informatikyBakalářský studijní program:
Aplikovaná elektronika
Práce na příbuzné téma
-
Human capital flight: The Brain drain from Russia
Vladimir Shishov -
Prostorové vyhodnocení fenoménu brain drain obyvatel města Olomouce
Jan CHLOUPEK -
Brain Drain in Hungary – Causes, Consequences and Possible Outcomes
Veronika Venislovas -
Vliv terciárního vzdělávacího systemu na brain drain v Kazachstánu
Nikita Zaitsev -
Brain drain in Mexico
Sofia Saucedo Morales -
The Effect of Brain Drain in the China and Earnings Motivation for Qualified Specialists to Work Abroad
Can Wang -
Brain drain v Rusku - vývoj, dopady a možná východiska
Ekaterina Safonova -
Brain Drain in Higher Education. Case of Kazakhstan
Lyazzat Kazkenova