Příprava tenkých vrstev (oxy)chalkogenidů na bázi\nl{} (GeS\dindex{2})\dindex{80}(Ga\dindex{2}S\dindex{3})\dindex{20-x}(Sb\dindex{2}S\dindex{3})\dindex{x} metodou rotačního nanášení – Tomáš Halík
Tomáš Halík
Bakalářská práce
Příprava tenkých vrstev (oxy)chalkogenidů na bázi\nl{} (GeS\dindex{2})\dindex{80}(Ga\dindex{2}S\dindex{3})\dindex{20-x}(Sb\dindex{2}S\dindex{3})\dindex{x} metodou rotačního nanášení
Preparation of the (GeS\dindex{2})\dindex{80}(Ga\dindex{2}S\dindex{3})\dindex{20-x}(Sb\dindex{2}S\dindex{3})\dindex{x}-based (oxy)chalcogenide thin films by the spin coating technique
Anotace:
Bakalářská práce se zabývá studiem přípravy tenkých vrstev (oxy)chalkogenidů (GeS2)80(Ga2S3)20-x(Sb2S3)x, kde x = 0?20 mol. %, metodou rotačního nanášení z příslušných roztoků. Na začátku práce byla pozornost věnována přípravě a optimalizaci chalkogenidových roztoků s použitím rozpouštědla monohydrátu hydrazinu. Z těchto roztoků byly připraveny tenké vrstvy výše uvedených oxy(chalkogenidů) metodou …víceAbstract:
Bachelor thesis deals with study and solution-based preparation of the (GeS2)80(Ga2S3)20-x(Sb2S3)x, where x = 0?20 mol.%, (oxy)chalcogenide thin films by the spincoating technique. At the beginnig of the work, the attention has been paid to prepration and optimization of chalcogenide solutions utilizing the hydrazine hydrate solvent. The solutions have been used for deposition of above mentioned (oxy …více
Jazyk práce: čeština
Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 4. 7. 2018
Zveřejnit od: 31. 12. 2999
Obhajoba závěrečné práce
- Vedoucí: Ing. Lukáš Střižík, Ph.D.
Citační záznam
Citace dle ISO 690:
HALÍK, Tomáš. \textit{Příprava tenkých vrstev (oxy)chalkogenidů na bázi$\backslash$nl$\{\}$ (GeS$\backslash$dindex$\{$2$\}$)$\backslash$dindex$\{$80$\}$(Ga$\backslash$dindex$\{$2$\}$S$\backslash$dindex$\{$3$\}$)$\backslash$dindex$\{$20-x$\}$(Sb$\backslash$dindex$\{$2$\}$S$\backslash$dindex$\{$3$\}$)$\backslash$dindex$\{$x$\}$ metodou rotačního nanášení}. Online. Bakalářská práce. Pardubice: Univerzita Pardubice, Fakulta chemicko-technologická. 2018. Dostupné z: https://theses.cz/id/1oybft/.
Jak správně citovat práci
Halík, Tomáš. Příprava tenkých vrstev (oxy)chalkogenidů na bázi\nl{} (GeS\dindex{2})\dindex{80}(Ga\dindex{2}S\dindex{3})\dindex{20-x}(Sb\dindex{2}S\dindex{3})\dindex{x} metodou rotačního nanášení. Pardubice, 2018. bakalářská práce (Bc.). Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická
Plný text práce
Právo: Autor si nepřeje zpřístupnění práce veřejnosti
Obsah online archivu závěrečné práce
Zveřejněno v Theses:- Soubory jsou nedostupné.
Jak jinak získat přístup k textu
Instituce archivující a zpřístupňující práci: Univerzita Pardubice, Fakulta chemicko-technologickáUniverzita Pardubice
Fakulta chemicko-technologickáBakalářský studijní program / obor:
Chemie a technická chemie / Chemie a technická chemie
Práce na příbuzné téma
-
Studium vlivu iontového svazku na krystalizaci tenké vrstvy PZT
David Vápenka -
Rotačně nanášené chalkogenidové tenké vrstvy As\dindex{30}S\dindex{70} a Ge\dindex{25}S\dindex{75} dopovaných ionty lanthanoidů
Dagmar Binková -
Rotačně nanášené Er\hindex{3+} a Er\hindex{3+}/Yb\hindex{3+} dopované tenké vrstvy GeS\dindex{2} a (GeS\dindex{2})\dindex{80}(Ga\dindex{2}S\dindex{3})\dindex{10}(Sb\dindex{2}S\dindex{3})\dindex{10}
Tomáš Halík -
Funkční tenké vrstvy pro aplikace využívající pokročilé oxidační procesy
Vlastimil ŠRAM -
Tenké vrstvy hyaluronátu sodného na hladkých površích
Magdalena Koutná -
Příprava a charakterizace plniv pro polymerní nanokompozitní vrstvy využitelné v elektronice
Thaiskang Jamatia -
Analýza vzorků ve formě tenké vrstvy pomocí LIBS spektrometrie
Magdalena Zvolská -
Viskozitní chování podchlazených tavenin Ge-Sb-S a Ge-Sb-Se
Jakub Ondráček