Tomáš Halík

Bakalářská práce

Příprava tenkých vrstev (oxy)chalkogenidů na bázi\nl{} (GeS\dindex{2})\dindex{80}(Ga\dindex{2}S\dindex{3})\dindex{20-x}(Sb\dindex{2}S\dindex{3})\dindex{x} metodou rotačního nanášení

Preparation of the (GeS\dindex{2})\dindex{80}(Ga\dindex{2}S\dindex{3})\dindex{20-x}(Sb\dindex{2}S\dindex{3})\dindex{x}-based (oxy)chalcogenide thin films by the spin coating technique
Anotace:
Bakalářská práce se zabývá studiem přípravy tenkých vrstev (oxy)chalkogenidů (GeS2)80(Ga2S3)20-x(Sb2S3)x, kde x = 0?20 mol. %, metodou rotačního nanášení z příslušných roztoků. Na začátku práce byla pozornost věnována přípravě a optimalizaci chalkogenidových roztoků s použitím rozpouštědla monohydrátu hydrazinu. Z těchto roztoků byly připraveny tenké vrstvy výše uvedených oxy(chalkogenidů) metodou …více
Abstract:
Bachelor thesis deals with study and solution-based preparation of the (GeS2)80(Ga2S3)20-x(Sb2S3)x, where x = 0?20 mol.%, (oxy)chalcogenide thin films by the spincoating technique. At the beginnig of the work, the attention has been paid to prepration and optimization of chalcogenide solutions utilizing the hydrazine hydrate solvent. The solutions have been used for deposition of above mentioned (oxy …více
 
 
Jazyk práce: čeština
Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 4. 7. 2018
Zveřejnit od: 31. 12. 2999

Obhajoba závěrečné práce

  • Vedoucí: Ing. Lukáš Střižík, Ph.D.

Citační záznam

Jak správně citovat práci

Halík, Tomáš. Příprava tenkých vrstev (oxy)chalkogenidů na bázi\nl{} (GeS\dindex{2})\dindex{80}(Ga\dindex{2}S\dindex{3})\dindex{20-x}(Sb\dindex{2}S\dindex{3})\dindex{x} metodou rotačního nanášení. Pardubice, 2018. bakalářská práce (Bc.). Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická

Plný text práce

Právo: Autor si nepřeje zpřístupnění práce veřejnosti

Obsah online archivu závěrečné práce
Zveřejněno v Theses:
  • Soubory jsou nedostupné.
Jak jinak získat přístup k textu
Instituce archivující a zpřístupňující práci: Univerzita Pardubice, Fakulta chemicko-technologická