Reflexní spektroskopie struktur SOI

Mgr. et Mgr. Libor Šmejkal

Bakalářská práce

Reflectance spectroscopy of SOI structures

Anotace:

Cílem této bakalářské práce je studium a charakterizace relevantních parametrů SOI waferů užitím reflexní spektroskopie v infračerveném spektrálním oboru. Měření v NIR-VIS-UV spektrální oblasti budou prováděna na vláknových spektrometrech a měření v MIR spektrální oblasti na infračerveném fourierovském spektrometru. Reflexní spektra budou modelována a fitována programy založenými na optice tenkých vrtev a klasické Lorentzově dielektrické funkci. Hlavním parametrem, na který se zaměříme, je tloušťka aktivní a izolační vrstvy.

Abstract:

The main goal of this thesis is theoretical and experimental study of selected parameters of Silicon-on-insulator structures by using of IR reflectance CCD spectroscopy and fourier spectroscopy. The reflectance spectra will be modeled by own programmes, which are using the results of thin film optics and classical Loretz model of interaction of light with matter. The main parameter, on which we will be focused, is thickness of both the active and insulating layer.

Klíčová slova

Silicon-on-insulator, tloušťka aktivní a izolační vrstvy, direct wafer bonding, vláknová reflexní spektroskopie, fourierovská infračervená reflexní spektroskopie, modelování reflexních spekter struktur SOI v MIR a NIR spektrální oblasti, optika tenkých vrstev, interakce světla s látkou, Lorentzův model.

Jazyk práce: čeština

Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 23. 5. 2011

Obhajoba závěrečné práce

• Obhajoba proběhla 27. 6. 2011
• Vedoucí: prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc.

Masarykova univerzita

Přírodovědecká fakulta

Bakalářský studijní program / obor:
Fyzika / Fyzika