Struktura a fotoluminiscence kvantových teček InAs/GaAs – Mgr. Ing. Jiří Vašátko, Ph.D.
Mgr. Ing. Jiří Vašátko, Ph.D.
Diplomová práce
Struktura a fotoluminiscence kvantových teček InAs/GaAs
Structure and photoluminescence of InAs/GaAs quentum dots
Anotace:
Práce je zaměřena na luminiscenční spektroskopii elementárních excitací u pěti vzorkù s kvantovými tečkami InAs v substrátu GaAs. Vzorky byly připraveny ve Fyzikálním ústavu AV ČR v Praze metodou MOVPE (metalo-organická epitaxe). Na základě AFM měření jsme stanovili tvar a střední rozmìry teček a z nich pomocí modelu vypočítali vázané elektronové stavy. Měřením fotoluminiscence s excitací Nd-YAG laserem …víceAbstract:
The thesis focuses on the luminescence spectroscopy of elementary excitations in five samples with InAs quantum dots in a GaAs substrate. The samples were prepared by MOVPE (Metaloorganic Vapor Phase Epitaxy) in the Institute of Physics of the Czech Academy of Sciences in Prague. Basing on the AFM measurement, the shape and average sizes of the dots were determined. Using a model, we calculated the …více
Jazyk práce: čeština
Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 15. 5. 2008
Identifikátor:
https://is.muni.cz/th/bozgl/
Obhajoba závěrečné práce
- Obhajoba proběhla 12. 6. 2008
- Vedoucí: prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc.
Plný text práce
Obsah online archivu závěrečné práce
Zveřejněno v Theses:- světu
Jak jinak získat přístup k textu
Instituce archivující a zpřístupňující práci: Masarykova univerzita, Přírodovědecká fakultaMasarykova univerzita
Přírodovědecká fakultaMagisterský studijní program / obor:
Fyzika / Fyzika kondenzovaných látek
Práce na příbuzné téma
-
Excitonic structure of absorption edge in quantum dots
Vlastimil Křápek -
Studium vybraných struktur pomocí mikroskopie atomárních sil
Patrick Gono