Nitridové polovodičové struktury a jejich charakterizace

Ing. Tomáš Vaněk

Disertační práce

Anotace:

Tato práce je zaměřena na přípravu InGaN/GaN heterostruktur s mnohonásobnými kvantovými jámami, které jsou, díky svým vynikajícím fyzikálním vlastnostem, nadějnými kandidáty pro aplikace jako konvertory vysokoenergetického záření na záření ve viditelném spektru. Cílem disertační práce je vytvořit heterostrukturu s velmi krátkou dobou dosvitu luminiscence v jednotkách nanosekund a potlačenými dlouhodobými složkami dosvitu, navíc s dostatečně tlustou aktivní vrstvou pro efektivní detekci vysokoenergetického záření. V práci jsou diskutovány jevy objevující se s růstem tlustých aktivních vrstev, jako je vliv V-pitů na optické vlastnosti kvantových jam a povrchovou morfologii heterostruktur. Dále byla provedena samotná optimalizace optických vlastností kvantových jam se zaměřením na rychlou kinetiku luminiscence a v neposlední řadě je představen i možný způsob využití těchto struktur.

Abstract:

The thesis focuses on the preparation of InGaN/GaN heterostructures with multiple quantum wells that are, thanks to their excellent physical properties, very promising for application as converters of high-energy radiation to the radiation in the visible spectrum. The dissertation aims to prepare a heterostructure with a very short decay time of luminescence in the nanosecond order and suppressed slow luminescence defect bands. Furthermore, the next aim is the preparation of the sufficiently thick active region for the efficient detection of high-energy radiation. In this work, the effects appearing with the growth of the thick active layers, as is the influence of V-pits on the optical properties of quantum wells and surface morphology, are discussed. Next, the optimization of the optical properties of quantum wells with the focus on the luminescence kinetic has been done. Last but not least, a possible way of using these structures is presented.

Klíčová slova

GaN, MOVPE, detekce záření, luminiscenční vlastnosti

Jazyk práce: čeština

Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 20. 8. 2022

Obhajoba závěrečné práce

• Obhajoba proběhla 7. 12. 2022
• Vedoucí: prof. Ing. Eduard Hulicius, CSc.

Technická univerzita v Liberci

Technická univerzita v Liberci

Doktorský studijní program / obor:
Nanotechnologie / Nanotechnologie