Bc. Dinh Hung TRUONG

Diplomová práce

Moderní polovodičové součástky ve výkonové elektronice

Modern semiconductor components in power electronics
Anotace:
Polovodičové součástky na bázi křemíku (Si) a arsenik galia (GaAs) nejsou vhodné pro použití ve vysokých teplotách, napětích a ve vysokofrekvenčních zařízeních. Velká mechanická pevnost, vysoká tepelná vodivost a široký zakázaný pás jsou vlastnosti, které z SiC dělá vhodného kandidáta pro použití v polovodičové technice.
Abstract:
Semiconductor devices based on silicon (Si) and gallium arsenic (GaAs) are not suitable for use in high temperature, voltage and high frequency device. Great mechanical strength, high thermal conductivity and wide bandgap are properties of SiC, which makes a good candidate for use in semiconductor technology.
 

Klíčová slova

SiC Karbid křemíku 3C-SiC 4H-SiC 6H-SiXC polytypie epitaxe ohmický kontakt Schottkyho kontakt PN dioda s SiC Schottkyho dioda s SiC VJFET s SiC pulsní měnič
 
Jazyk práce: čeština
Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 11. 5. 2012
Zveřejnit od: 11. 5. 2013

Obhajoba závěrečné práce

  • Vedoucí: Ing. Pavel Drábek, Ph.D.

Citační záznam

Citovat tuto práci
Jak správně citovat práci

TRUONG, Dinh Hung. Moderní polovodičové součástky ve výkonové elektronice. Plzeň, 2012. diplomová práce (Ing.). ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI. Fakulta elektrotechnická

Plný text práce

Právo: Autor si přeje zpřístupnit práci veřejnosti od 11.5.2013

Obsah online archivu závěrečné práce
Zveřejněno v Theses:
  • Soubory jsou od 11. 5. 2013 dostupné: světu
Jak jinak získat přístup k textu
Instituce archivující a zpřístupňující práci: ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI, Fakulta elektrotechnická
https://portal.zcu.cz/stag?urlid=prohlizeni-prace-detail&praceIdno=40793 Odkaz na soubor do lokálního úložiště instituce