Odporové spínání v tenkých vrstvách chalkogenidů

Ing. Bo Zhang

Disertační práce

Resistive switching with chalcogenide thin layer

Abstract:

Resistive switching memory technology shows promising future to replace the traditional flash-disc or disk memory. Ag or Cu doped chalcogenide thin layer is typical electrolyte and the high and the low resistance is adjusted due to the formation and dissolution of conductive filament. More specifically, AsS2 and GeSe2 were selected as electrolyte and Ag was doped in the electrolyte layer by photo doping and dissolution from the top or bottom of electrolyte layer. In addition, the geometries of device also influence the parameters of resistive switching behaviour.

Abstract:

Technologie resistivního přepínání paměti slibuje budoucnost, které nahradí tradiční paměť typu "flash-disku" nebo diskové paměti. Tenká vrstva chalkogenidu, dopovaného Ag nebo Cu, je typickým elektrolytem a vysoký a nízky odpor se upravují v důsledku tvorby a rozpouštění vodivého vlákna. Přesněji řečeno, AsS2 a GeSe2 byly vybrány jako elektrolyt a Ag bylo dopovaná v elektrolytické vrstvě "foto-dopingem" a rozpouštěním z horní nebo spodní vrstvy kovu do elektrolytu. Navíc geometrie paměťových cel ovlivňuje také parametry odporového spínání

Keywords

Odporové spínání, tenké vrsty chalkogenidů, vodivé vlákno

Jazyk práce: angličtina

Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 12. 7. 2017

Zveřejnit od: 31. 12. 2999

Obhajoba závěrečné práce

• Obhajoba proběhla 7. 9. 2017

Univerzita Pardubice

Fakulta chemicko-technologická

Doktorský studijní program / obor:
Chemistry and Technology of Materials / Chemistry and Technology of Inorganic Materials