Příprava tenkých vrstev Cu a Ag-dopovaných chalkogenidů metodou pulsní laserové depozice

Bc. Tomáš Netolický

Diplomová práce

Preparation of Cu and Ag-doped thin chalcogenide films by pulsed laser deposition

Anotace:

Práce se zabývá přípravou tenkých vrstev chalkogenidů o složení GeSe3, (GeSe3)95Ag5 a (GeSe3)95Cu5 z objemových vzorků příslušných složení. K přípravě tenkých vrstev chalkogenidů byla použita metoda pulsní laserové depozice (PLD). Dále jsou studovány strukturní, elektrické a optické vlastnosti připravených tenkých vrstev, společně s jejich chemickým složením. Zjištěné vlastnosti jsou dále srovnávány s objemovými vzorky, s literaturou a mezi tenkými vrstvami navzájem.

Abstract:

This thesis is focused on preparation of thin films of chalcogenides of compositions GeSe3, (GeSe3)95Ag5 and (GeSe3)95Cu5 from bulk samples of appropriate compositions. Pulsed laser deposition (PLD) method was used for the preparation of the thin films of the chalcogenides. Also structural, electrical and optical properties of the prepared thin films are studied in this thesis, together with their chemical composition. The found properties of the thin films are also compared with the properties of the bulk samples, with literature and with the thin films each other.

Klíčová slova

tenké vrstvy, amorfní chalkogenidy, depozice, vlastnosti

Jazyk práce: čeština

Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 26. 4. 2019

Zveřejnit od: 31. 12. 2999

Obhajoba závěrečné práce

• Vedoucí: prof. Ing. Tomáš Wágner, DrSc.

Univerzita Pardubice

Fakulta chemicko-technologická

Magisterský studijní program / obor:
Chemie a technologie materiálů / Materiálové inženýrství