Návrh a konstrukce vazebního měniče DC zdrojů s využitím SiC spínačů

David Špila

Master's thesis

Design and Construction of DC Sources Coupling Converter using SiC switches

Anotácia:

Tato diplomová práce se zabývá dimenzováním, konstrukčním návrhem a realizací laboratorního modelu vazebního měniče pro paralelní vazbu tří akumulátorů. Práce navazuje na předchozí výzkum katedry elektroniky. V první kapitole jsou vysvětleny obecné poţadavky pro návrh vazebního měniče. Z těchto teoretických poznatků je proveden návrh obvodového schématu, které je ověřeno simulací. Na základě výsledku simulace jsou zvoleny obvodové součástky a proveden výpočet chladiče. V dalších částech práce je realizován 3D návrh měniče, pro následnou konstrukci laboratorního modelu. Tato kapitola obsahuje blokové schéma a popis pouţitých modulů. V poslední částí je ověřena funkce SiC budičů a jsou shrnuty zjištěné poznatky této práce. V příloze je dokumentace realizační části práce.

Abstract:

This diploma thesis deals with dimensioning, design and realization of the laboratory model of the coupling converter for the parallel connection of three accumulators. The thesis follows the previous research of the Department of Electronics. The first chapter explains the general requirements for the design of the coupling converter. From these theoretical knowledge is made a design of a circuit diagram that is verified by simulation. Based on the simulation result, the peripheral components are selected and the heatsink calculation is performed. In the other parts of the thesis, the 3D design of the inverter is realized, for the subsequent construction of the laboratory model. This chapter contains a block diagram and a description of the modules used. The last part examines the function of SiC exciters and summarizes the findings of this work. Attachment is the documentation of the implementation part of the work.

Kľúčové slová

Vazební měnič, paralelní řazení zdrojů, akumulátor, 3D model, SiC tranzistor, řidicí systém

Keywords

Coupling converter, parallel source selection, accumulator, 3D model, SiC transistor, control system

Jazyk práce: Czech

Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 30. 4. 2018

Obhajoba závěrečné práce

• Obhajoba proběhla 28. 5. 2018
• Vedúci: Vladislav Damec
• Oponent: Petr Chlebiš

VŠB - Technical University of Ostrava

Fakulta elektrotechniky a informatiky

Master programme / odbor:
Elektrotechnika / Aplikovaná elektronika