Měření tloušťky metalizace křemíkových desek

Mgr. Michal Bednář

Bakalářská práce

Measurement of the thickness of Si wafer metalization

Anotace:

V této práci jsme se zabývali studiem tloušťek tenkých vrstev pomocí rentgenové analýzy. Analyzovali jsme vzorky s tenkou vrstvou Pt a TiW na křemíkové desce. Vzorky s TiW vrstvou jsme vyrobili v čistých prostorách UFKL metodou fotolitografie. Desku jsme rozlámali a jednotlivé vzorky jsme různě dlouho leptali v peroxidu vodíku, abychom získali různě tenké vrstvy. Vzorky s vrstvami Pt a TiW jsme zkoumali metodami rentgenové odrazivosti, práškové difrakce a s použitím profilometru za účelem určení tloušťek, drsností a složení vrstev. Ze získaných dat jsme popsali proces leptání TiW vrstvy.

Abstract:

In this work we studied the thickness of thin layers using X-ray analysis. We analyzed samples with a thin layer of Pt and TiW on silicon wafer. We produced the samples with a layer of TiW in clean rooms UFKL by photolithography. We broke the wafer and etched these samples in hydrogen peroxide for different time in order to obtain different thickness of layers. We examined samples with layers of Pt and TiW by methods of X-ray reflectivity, powder diffraction and using a pronTometer in order to determine the thickness, roughness and composition of the layers. Analyzing the obtained we described the process of etching TiW layer.

Klíčová slova

Rentgenová odrazivost, Prášková difrakce, Profilometr, Tloušťka vrstvy, Drsnost, X-ray reflectivity, Powder diffraction, Profilometer, Thin layer, Roughness

Jazyk práce: čeština

Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 21. 5. 2012

Obhajoba závěrečné práce

• Obhajoba proběhla 21. 6. 2012
• Vedoucí: Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.

Masarykova univerzita

Přírodovědecká fakulta

Bakalářský studijní program / obor:
Fyzika / Fyzika