Bc. Tereza Bulvová

Diplomová práce

Faktory ovlivňující spínání v CBRAM paměťových celách

Factors affecting switching in CBRAM memory cells
Anotace:
Charakterizace a příprava chalkogenidů a tenkých vrstev. Příprava CBRAM paměťových cel. Odporové spínání.
Abstract:
Characterization and preparation of chalcogenides and thin films. Preparation of CBRAM memory cells. Resistive switching.
 

Klíčová slova

CBRAM PMC paměti odporové spínání chalkogenidová skla opticky indukovaná difuze
 
Jazyk práce: čeština
Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 5. 5. 2015

Obhajoba závěrečné práce

  • Obhajoba proběhla 1. 6. 2015
  • Vedoucí: prof. Ing. Tomáš Wágner, DrSc.

Citační záznam

Citovat tuto práci
Jak správně citovat práci

Bulvová, Tereza. Faktory ovlivňující spínání v CBRAM paměťových celách. Pardubice, 2015. diplomová práce (Ing.). Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická

Plný text práce

Obsah online archivu závěrečné práce
Zveřejněno v Theses:
  • Soubory jsou nedostupné.
Jak jinak získat přístup k textu
Instituce archivující a zpřístupňující práci: Univerzita Pardubice, Fakulta chemicko-technologická
https://portal.upce.cz/StagPortletsJSR168/CleanUrl?urlid=prohlizeni-prace-detail&praceIdno=27125 Odkaz na soubor do lokálního úložiště instituce