Chalkogenidy, materiály pro paměti se změnou fáze a vodivosti

Ing. Miroslav Bartoš

Disertační práce

Chalcogenides, materials for phase change memories and conductive bridge memories

Anotace:

Práce se zabývá studiem materiálů potenciálně vhodných pro výrobu elektricky spínaných pamětí. Práce se zabývá dvěma systémy - Ge2Sb2,3Te4Se a Ge28-xGaxS72. Z materiálů byly připravené tenké vrstvy, ty byly charakterizovány a následně dále byly studovány jejich fyzikálně chemické vlastnosti - v případě Ge-Sb-Te-Se byla změřena teplotní závislost plošného elektrického odporu a získané zakrystalované vrstvy byly znovu charakterizovány a porovnány s vrstvami amorfními a v případě Ge-Ga-S bylo studováno chování stříbra během fotoindukovaného rozpouštění do připravených vrstev.

Abstract:

The main aim of this PhD thesis was to study of amorphous chalcogenides, which might be potentially used in industry to manufacture nanomemories which are switched on and off by electrical pulses. This work deals with two systems - Ge2Sb2,3Te4Se and Ge28-xGaxS72. Thin films with both composition were prepared, characterized and then their other physico-chemical properties were studied - in case of Ge-Sb-Te-Se temperature dependence of sheet resistance was measured and obtained crystalline thin films were characterized and compared to results of amorphous thin films and in case of Ge-Ga-S behavior of silver during photo diffusion and dissolution process was studied.

Klíčová slova

chalkogenidová skla, amorfní polovodiče, tenké vrstvy, paměti, iontové vodiče, optické vlastnosti, elektrické vlastnosti

Jazyk práce: čeština

Datum vytvoření / odevzdání či podání práce: 1. 3. 2012

Zveřejnit od: 31. 12. 2999

Obhajoba závěrečné práce

• Obhajoba proběhla 16. 5. 2012

Univerzita Pardubice

Fakulta chemicko-technologická

Doktorský studijní program / obor:
Chemie a technologie materiálů / Chemie a technologie anorganických materiálů